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新材料領(lǐng)域

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低溫AFM助力六方氮化硼氣泡中的氫分離研究

低溫AFM助力六方氮化硼氣泡中的氫分離研究

在原子尺寸容積內(nèi)存儲(chǔ)微量氣體是科研中一項(xiàng)十分有意義的研究。其中,阻隔材料的選擇是影響氣體存儲(chǔ)的重要因素:該材料形成氣泡來包覆存儲(chǔ)的氣體,且在苛刻環(huán)境下保持穩(wěn)定,更重要的是材料本身不能與存儲(chǔ)氣體有任何的化學(xué)或者物理的相互作用。近期,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的王浩敏研究員課題組就這項(xiàng)研究...
AI瞬間就能找到二維材料

AI瞬間就能找到二維材料

東京大學(xué)下屬的工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員展示了一種新型的人工智能系統(tǒng),該系統(tǒng)可以瞬間找到并標(biāo)記顯微鏡圖像中的二維材料。這項(xiàng)工作可以幫助縮短基于二維材料的電子產(chǎn)品用于消費(fèi)類設(shè)備所需的時(shí)間。 二維材料為創(chuàng)建電子設(shè)備(例如晶體管和發(fā)光二極管)提供了令人興奮的新平臺(tái)。單原子厚的晶體家族包括金屬,半導(dǎo)體和絕緣...
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)案例分享

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)案例分享

卓聚科技小編給大家分享一下化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)案例 Graphene 在任意襯底上無催化生長(zhǎng) Graphene的無催化外延生長(zhǎng) 外延Graphene / BN 異質(zhì)結(jié)與摩爾超晶格 氧化石墨烯的缺陷修復(fù) Graphene的各向異性刻蝕技術(shù)發(fā)展 MoS2的可控生長(zhǎng)與晶粒尺寸調(diào)節(jié) 二/四英寸連續(xù)單層MoS2的取向外延生長(zhǎng) 詳細(xì)情況歡迎您咨詢我們...
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